2835紫光LED灯珠采用GaN芯片技术，主波长395-405nm，提供高纯度紫外光输出。产品通过严格光学筛选，峰值波长一致性优异，辐射强度稳定。封装采用抗UV材料设计，保证长期使用可靠性。热阻≤180°C/W，配合铝基板可实现可靠热管理，适用于荧光检测、UV固化等专业场景。
2835紫光LED灯珠采用GaN芯片技术，主波长395-405nm，提供高纯度紫外光输出。产品通过严格光学筛选，峰值波长一致性优异，辐射强度稳定。封装采用抗UV材料设计，保证长期使用可靠性。热阻≤180°C/W，配合铝基板可实现可靠热管理，适用于荧光检测、UV固化等专业场景。
GaN芯片技术，主波长395-405nm，紫外光谱纯度高，荧光激发效果优异
典型光辐射280-350mW @ 150mA工作电流，光电转换效率25-35%
L70>30000小时 @ 25°C环境温度，紫外LED专业寿命标准
热阻≤180°C/W，配合铝基板可实现优良散热性能
正向电压Vf=3.2-3.6V，电流范围60-180mA，驱动设计灵活
符合RoHS/REACH指令，IR回流焊兼容，适配标准SMT产线
| 封装类型 | SMD 2835 |
| 芯片材料 | GaN |
| 正向电压 | 3.2-3.6V |
| 工作电流 | 150mA |
| 主波长 | 395-405nm |
| 发光角度 | 120° |
| 热阻 | ≤180°C/W |
| 寿命 | L70>30000h |
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